24,47 відсотка, що можна порівняти з HJT p-типу n-типу

CEA INES, французький науково-дослідний інститут, розробив пластини p-типу для виробництва гетероперехідних комірок і запровадив легування галію у виробництво p-типу комірок, що призвело до гетероперехідних комірок з продуктивністю, порівнянною з n-типом, з оптимальною ефективністю перетворення 24,47 відсотка, повідомляє Global PV.

Фотоелектричні елементи HJT можуть бути виготовлені з кремнієвих пластин n-типу або p-типу. Для широкомасштабного розширення HJT можна віддати перевагу дешевшим пластинам p-типу, однак клітини p-типу менш ефективні, ніж n-тип, і виявляють нестабільність у конкретних випадках допування бором. Робота CEA INES показала, що процес виробництва високопродуктивних двосторонніх клітин n-типу після з’єднання може бути застосований до клітин p-типу з переднім з’єднанням без зміни процесу, із втратою ефективності лише 0.3 відсоток .

Приблизно в 2019 році виробники фотоелектричних пристроїв починають замінювати легування бором галієм як рішення для фотоіндукованої деградації, спричиненої реакцією між бором і киснем. У серпні 2022 року дослідження в Fraunhofer ISE в Німеччині показали, що за допомогою легування галієм пластини p-типу можуть досягти подібної або навіть вищої ефективності елементів, ніж пластини n-типу.

Fraunhofer ISE виготовив злиток кремнію з більш високим питомим опором завдяки легуванню галієм

«З цієї причини ми пропонуємо використовувати клітини HJT p-типу з легуванням галієм, які ми отримали на напівпромисловій випробувальній лінії, які, по суті, стабільні при слабкому освітленні та мають ефективність, близьку до ефективності n-типу». CEA INES сказав.

У вересні цього року компанія Longi досягла ефективності перетворення 26,12 відсотка для кремнієвих гетероперехідних елементів на повнорозмірній (M6, 274,3 см2) монокристалічній кремнієвій пластині p-типу, легованої галієм, що є найвищим показником ефективності для кремнієвих елементів p-типу. на сьогоднішній день, і існуюче обладнання HJT Jagatron також може бути використано для технології кремнієвих гетероперехідних комірок (p-HJT), виготовлених із легованих галієм кремнієвих пластин p-типу.